CT互感器綜合測試儀使用壽命長
集成電路產業(yè)作為國民經濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎性和先導性產業(yè)，具有很強的創(chuàng)新力和融合力，已經滲透到人民生活、生產以及國防安全的方方面面。國際金融危機后，世界各國都在努力探尋經濟轉型之路，加快培育發(fā)展戰(zhàn)略性新興產業(yè)，力爭在后危機時代的全球經濟發(fā)展和競爭中贏得先機。擁有強大的集成電路技術和產業(yè)，已成為邁向創(chuàng)新型國家的重要標志。根據(jù)全球半導體貿易統(tǒng)計(WSTS)，2014年全球半導體市場規(guī)模達到3331億美元，同比增長9%，為近四年增速很快。據(jù)ICInsight統(tǒng)計的全球GDP與集成電路產業(yè)的年均增長率比較，可以清楚地看到集成電路產業(yè)增長緩慢，正逐步接近GDP，表明了全球集成電路產業(yè)已經成為成熟產業(yè);并且強調成本協(xié)同、強調規(guī)模經濟的產業(yè)特征，也表明了這一產業(yè)己經成為成熟產業(yè)。
CT互感器綜合測試儀使用壽命長一.設計用途
設計用于對保護類、計量類CT/PT進行自動測試，適用于實驗室也適用于現(xiàn)場檢測。
CT互感器綜合測試儀使用壽命長二.參考標準
GB 1207-2006、GB 1208-2006
CT互感器綜合測試儀使用壽命長三.主要特征
• 支持檢測CT和PT
• 滿足 GB1207、GB1208等規(guī)程要求.
無需外接其它輔助設備，單機即可完成所有檢測項目.
• 自帶微型快速打印機、可直接現(xiàn)場打印測試結果.
• 操作簡便，帶有智能提示，使用戶更易上手操作。.
• 大屏幕液晶，圖形化顯示接口.
• 按規(guī)程自動給出CT/PT（勵磁）拐點值.
• 自動給出5%和10%誤差曲線.
• 可保存3000組測試資料，掉電后不丟失.
• 支持U盤轉存資料，可以通過標準的PC進行讀取，并生成WORD報告.
• 小巧輕便≤22Kg，非常利于現(xiàn)場測試.
CT互感器綜合測試儀使用壽命長四．測試儀主要測試功能：（見表1）
CT（保護類、計量類） | PT |
• 伏安特性（勵磁特性）曲線 | • 伏安特性（勵磁特性）曲線 |
• 自動給出拐點值 | • 自動給出拐點值 |
• 自動給出5%和10%的誤差曲線 | • 變比測量 |
• 變比測量（電壓法電流法兼容） | • 極性判斷 |
• 比差測量 | • 比差測量 |
• 相位（角差）測量 | • 相位（角差）測量 |
• 極性判斷 | • 交流耐壓測試 |
• 一次通流測試 | • 二次負荷測試 |
• 交流耐壓測試 | • 二次繞組測試 |
• 二次負荷測試 | • 鐵心退磁 |
•二次繞組測試 | |
• 鐵心退磁 |
表1
CT互感器綜合測試儀使用壽命長五. 測試儀主要技術參數(shù)： （見表2）
項 目 | 參 數(shù) | |
工作電源 | AC220V±10% 、50Hz | |
設備輸出 | 0～2500Vrms， rms（20A峰值） 注：0～為真實值，大于～20A為計算值 | |
大電流輸出 | 0～600A | |
勵磁精度 | ≤0.5%（0.2%*讀數(shù)+0.3%*量程） | |
二次繞組 電阻測量 | 范圍 | 0.1～300Ω |
精度 | ≤0.5%（0.2%*讀數(shù)+0.3%*量程） | |
二次實際 負荷測量 | 范圍 | 5～500VA |
精度 | ≤0.5%（0.2%*讀數(shù)+0.3%*量程）±0.1VA | |
相位測量 （角差） | 精度 | 4min |
分辨率 | 0.1min | |
比差 | 精度 | 0.05% |
CT 變比測量 | 范圍 | ≤25000A/（5000A/1A） |
精度 | ≤0.5% | |
PT 變比測量 | 范圍 | ≤500KV |
精度 | ≤0.5% | |
工作環(huán)境 | 溫度：－10℃ ～ 40℃，濕度：≤90%，海拔高度：≤1000m | |
尺寸、重量 | 尺寸：410mm × 260mm × 340mm ， 重量：≤22Kg | |
表2
5.1．工作條件要求
輸入電壓 220Vac±10%、額定頻率 50Hz；
測試儀應該由帶有保護接地的電源插座供電。如果保護地的連接有問題，或者電源沒有對地的隔離連接，仍然可以使用測試儀，但是我們不保證安全；
參數(shù)對應的環(huán)境溫度是23℃±5℃；
保證值在出廠校驗后一年內有效。
未來幾年，全球集成電路產業(yè)將進入重大調整變革期，隨著投資規(guī)模迅速攀升，加速向優(yōu)勢企業(yè)集中，不少領域將形成2-3家企業(yè)壟斷局面。此外，國際企業(yè)通過構建合作聯(lián)盟、兼并重組、布局等方式強化核心環(huán)節(jié)控制力，市場進入壁壘進一步提高。全球集成電路產業(yè)依然 “大者恒大";產業(yè)技術革新難度加大，速度開始變緩，技術競爭愈發(fā)激烈;迅速增長的中國市場帶動著全球產業(yè)發(fā)展，“中國效應"帶領集成電路產業(yè);在市場競爭的壓力下，商業(yè)模式悄然變化——眾多IDM工廠紛紛轉向“輕晶圓廠"模式或代工模式，搶入全球晶圓代工行列;全球集成電路產業(yè)呈現(xiàn)出從發(fā)達地區(qū)向發(fā)展中國家和地區(qū)轉移的趨勢。伴隨著行業(yè)集中度越來越高，行業(yè)發(fā)展也逐步結束過去高增長和周期性波動的發(fā)展局面，開始步入平穩(wěn)發(fā)展階段，產業(yè)結構調整步伐加速，IC設計業(yè)與晶圓代工業(yè)呈現(xiàn)異軍突起之勢。產業(yè)重心進一步向亞洲，特別是向中國大陸轉移。中國大陸將成為全球半導體市場的主要增長點，而中國集成電路產業(yè)的全球地位快速提升，產業(yè)鏈日漸成熟，為我國集成電路產業(yè)的發(fā)展提供了良好的機遇。
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